原厂展柜005：Central Semi
一、Central简介
二、展品一览
三、展品详情
展品1
型号：CTLHR10-06 TR13 PBFREE
品类：二极管 Didode
产品种类：整流器
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体：TLM-364-3
Vr - 反向电压：600 V
If - 正向电流：10 A
类型：Fast Recovery Rectifiers
配置：Single
Vf-正向电压：1.6 V
最大浪涌电流：150 A
Ir - 反向电流：1.2 uA
恢复时间：22 ns
最小工作温度：- 65 C
最大工作温度：+ 175 C
封装：Reel
封装：Cut Tape
包装数：5000
子类别: Diodes & Rectifiers
展品2
型号：CDM22012-800LRFP
品类：场效应管 Mosfet
产品状态：停产
FET类型：N通道
漏源电压（Vdss）：800 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：12A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：450 毫欧 @ 6A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：52.4 nC @ 10 V
Vgs（最大值）：30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：1090 pF @ 100 V
功率耗散（最大值）：40W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：通孔
供应商器件封装：TO-220FP
封装/外壳：TO-220-3 整包
展品3
型号：CSIC10-1200
品类：二极管 Didode
包装：管件
产品状态：停产
技术：SiC（Silicon Carbide）Schottky
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：1200 V
电流 - 平均整流 (Io)：10A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1.7 V @ 10 A
速度：无恢复时间 > 500mA（Io）
反向恢复时间 (trr)：0 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏：250 µA @ 1200 V
不同 Vr、F 时电容：500pF @ 1V，1MHz
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-220-2
供应商器件封装：TO-220-2
工作温度 - 结：-55°C ~ 175°C
展品4
型号：CTLHR10-06 TR13 PBFREE
品类：二极管 Didode
产品种类：整流器
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体：TLM-364-3
Vr - 反向电压：600 V
If - 正向电流：10 A
类型：Fast Recovery Rectifiers
配置：Single
Vf-正向电压：1.6 V
最大浪涌电流：150 A
Ir - 反向电流：1.2 uA
恢复时间：22 ns
最小工作温度：- 65 C
最大工作温度：+ 175 C
封装：Reel
封装：Cut Tape
包装数：5000
子类别: Diodes & Rectifiers
展品5
型号：CSIC10-1200
品类：二极管 Didode
包装：管件
产品状态：停产
技术：SiC（Silicon Carbide）Schottky
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：1200 V
电流 - 平均整流 (Io)：10A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1.7 V @ 10 A
速度：无恢复时间 > 500mA（Io）
反向恢复时间 (trr)：0 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏：250 µA @ 1200 V
不同 Vr、F 时电容：500pF @ 1V，1MHz
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-220-2
供应商器件封装：TO-220-2
工作温度 - 结：-55°C ~ 175°C