全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）开发出采用SOT-223-3小型封装（6.50mm×7.00mm×1.66mm）的600V耐压Super Junction MOSFET*1“R6004END4 / R6003KND4 / R6006KND4 / R6002JND4 / R6003JND4”，新产品非常适用于照明用小型电源、电泵和电机等应用。

近年来，随着照明用的小型电源和电泵用电机的性能提升，对于在这些应用中发挥开关作用的MOSFET的更小型产品需求高涨。通常，对于Super Junction MOSFET而言，在保持高耐压和低导通电阻特性理想平衡的同时，很难进一步缩小体积。此次，ROHM通过改进内置芯片的形状，在不牺牲以往产品性能的前提下开发出5款更小更薄的SOT-223-3封装新产品。

与以往TO-252封装（6.60mm×10.00mm×2.30mm）的产品相比，新产品的面积减少约31%，厚度减少约27%，有助于实现更小、更薄的应用产品。另外，新产品还支持TO-252封装电路板上的布线图案（焊盘图案），因此也可以直接使用现有的电路板。

五款新产品分别适用于小型电源和电机应用，各有不同的特点。适用于小型电源的有3款型号，“R6004END4”具有低噪声的特点，适用于需要采取降噪措施的应用；“R6003KND4”和“R6006KND4”具有高速开关的特点，适用于需要低损耗且高效率工作的应用；“R6002JND4”和“R6003JND4”采用ROHM自有技术加快了反向恢复时间（trr*2）并大大降低了开关损耗，属于“PrestoMOS”产品，非常适用于电机应用。

此外，为了加快这些产品的应用，在ROHM官网上还免费提供电路设计所需的应用指南和各种技术资料，以及仿真用的SPICE模型等资源。

新产品已于2023年11月开始暂以月产10万个的规模投入量产（样品价格400日元/个，不含税）。另外，新产品也已开始电商销售，从Ameya360、Sekorm、Oneyac、Right IC等电商平台均可购买。

今后，ROHM将继续开发不同封装和低导通电阻产品，不断扩大Super Junction MOSFET的产品阵容，通过助力各种设备降低功耗，来为解决环境保护等社会课题做出贡献。

＜产品阵容＞

小型电源用

产品型号	数据表	极性 [ch]	VDSS [V]	ID [A]	RDS(on) [Ω] *VGS=10V		Qg [nC] *VGS=10V	封装 [mm]
					Typ.	Max.	Typ.
R6004END4		N	600	2.4	0.90	0.98	15	SOT-223-3 (6.50×7.00×1.66)
R6003KND4				1.3	1.30	1.50	8
R6006KND4				2.8	0.72	0.87	12

电机用

产品型号	数据表	极性 [ch]	VDSS [V]	ID [A]	RDS(on) [Ω] *VGS=15V		Qg [nC] *VGS=15V	trr [ns]	封装 [mm]
					Typ.	Max.	Typ.	Typ.
R6002JND4		N	600	1.0	2.50	3.25	7	40	SOT-223-3 (6.50×7.00×1.66)
R6003JND4				1.3	1.65	2.15	8	42

＜应用示例＞

・R6004END4 / R6003KND4 / R6006KND4：照明、空调、冰箱等
・R6002JND4 / R6003JND4：电泵、风扇、复印机等使用的电机

＜电商销售信息＞

开始销售时间：2023年12月起
电商平台：Right IC
新产品在其他电商平台也将逐步发售。1枚起售

＜Super Junction MOSFET特设页面＞

OHM的官网上提供与SOT-223-3封装相关的应用指南以及各种电路设计所需的资料。
https://www.rohm.com.cn/support/super-junction-mosfet

＜什么是PrestoMOS＞

Presto意为“非常快”，源于意大利语的音乐术语。
PrestoMOS是ROHM自有的功率MOSFET品牌，该品牌的MOSFET产品不仅保持了Super Junction MOSFET高耐压和低导通电阻的特点，还缩短了内置二极管的反向恢复时间。因其可降低开关损耗而越来越多地被用于空调和冰箱等配备逆变电路的应用。

＜术语解说＞

• *1) Super Junction MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor）

• MOSFET是晶体管的一种，根据器件结构上的不同又可细分为Planar MOSFET、Super Junction MOSFET等不同种类的产品。与Planar MOSFET相比，Super Junction MOSFET能够同时实现高耐压和低导通电阻，在处理大功率时损耗更小。

• *2) trr：反向恢复时间（Reverse Recovery Time）

• 内置的二极管从导通状态到完全关断状态所需的时间。该值越低，开关时的损耗越小。

＜新产品参考资料"Featured Products"＞